MOS管一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。

MOS管由漏極、源極和柵極組成，還分為N溝和P溝兩種MOS管。首先我們將漏極接到電源正極，源極接到電源負(fù)極。對mos管而言，在柵極無電壓情況下，源極與漏極之間是兩個背對背二極管，而不會有電流通過，此時的mos管處于截止?fàn)顟B(tài)。

如上圖所示，柵極加電壓時，當(dāng)電壓小于閾值 VGS (th)時，柵極與基片 P之間會因為電場的作用，使 P型半導(dǎo)體的源極和漏極上的負(fù)電子受到吸引而涌向柵極，而因為氧化膜的阻隔，將電子聚集在兩個N溝道之間的半導(dǎo)體中。

如果柵極電壓越高，電子濃度就會越高。當(dāng)VGS (th)超過一個閾值，N型半導(dǎo)體將在源極和漏極之間形成一個電子通道。這段時間內(nèi)，由于漏極上加了正電壓，會形成漏極至源極的電流， MOS管導(dǎo)通。

還可以把兩個N型半導(dǎo)體間的一條溝槽想象成一條河流，柵極電壓的建立相當(dāng)于在兩者之間架起一座橋梁，其大小取決于柵壓的大小。所以 MOS管才是控制電壓的晶體管。把 MOS管想像為一個閥門，它的柵極就象一個控制水流是否能通過的開關(guān)。